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| Hersteller-Teilenummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 127870 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SIDR610DP-T1-GE3.pdf |
| Artikelnummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 31.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8DC |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | SIDR610DP-T1-GE3 |
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