.jpg)
| 제조업체 부품 번호 | SIDR610DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 사용 가능한 수량 | 127870 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | SIDR610DP-T1-GE3.pdf |
| 부품 번호 | SIDR610DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 31.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1380pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8DC |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | SIDR610DP-T1-GE3 |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. SIDR610DP-T1-GE3, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 SIDR610DP-T1-GE3, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 SIDR610DP-T1-GE3, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Vishay Siliconix 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Vishay Siliconix 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 우리로부터. 예 : CDR34BP362BFZMAT, CDR34BP362BFZPAT, CDR34BP362BFZRAT, CDR34BP362BFZSAT, CDR34BP392BFZMAT, CDR34BP392BFZPAT, CDR34BP392BFZRAT, CDR34BP392BFZSAT, CDR34BP432BFZMAT, CDR34BP432BFZPAT SQJA80EP-T1_GE3, TSM089N08LCR RLG, DMTH8012LPSQ-13, TK380P60Y,RQ, TK560P65Y,RQ, PSMN8R0-40BS,118, PSMN015-60BS,118, DMTH43M8LPSQ-13, CSD17522Q5A, RD3U040CNTL1.
사다 Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.