| Hersteller-Teilenummer | SQS966ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 163280 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 60V |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SQS966ENW-T1_GE3.pdf |
| Artikelnummer | SQS966ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| Leistung max | 27.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8W |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8W |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | SQS966ENW-T1_GE3 |
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