製造業者識別番号 | SQS966ENW-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 163280 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET N-CHAN 60V |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | SQS966ENW-T1_GE3.pdf |
部品番号 | SQS966ENW-T1_GE3 |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 36 mOhm @ 1.25A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 8.8nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 572pF @ 25V |
電力 - 最大 | 27.8W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8W |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8W |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | SQS966ENW-T1_GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SQS966ENW-T1_GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SQS966ENW-T1_GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SQS966ENW-T1_GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 私たちから。 といった VJ2225A561JBLAT4X, VJ2225A561JBEAT4X, VJ2225A561JBCAT4X, VJ2225A561JBBAT4X, VJ2225A561JBAAT4X, VJ2225A392KBCAT4X, VJ2225A392KBBAT4X, VJ2225A392KBAAT4X, VJ2225A392JBCAT4X, VJ2225A392JBBAT4X ALD1105SBL, ALD111933SAL, IRFI4020H-117P, ALD110908ASAL, ALD1101PAL, ALD1102PAL, ALD1101SAL, ALD114835SCL, SLA5065, SLA5068-LF830.
購入 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。