Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SQS966ENW-T1_GE3
Référence fabricantSQS966ENW-T1_GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible163280 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CHAN 60V
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SQS966ENW-T1_GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V
Puissance - Max 27.8W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8W
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8W
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Siliconix Distributeur

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