| Hersteller-Teilenummer | TPN2R805PL,L1Q |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 108080 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | TPN2R805PL,L1Q.pdf |
| Artikelnummer | TPN2R805PL,L1Q |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 45V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | TPN2R805PL,L1Q |
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