Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com TPN2R805PL,L1Q
Numero di parte del produttoreTPN2R805PL,L1Q
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile108080 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TPN2R805PL,L1Q.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TPN2R805PL,L1Q
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.2nF @ 22.5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TPN2R805PL,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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