製造業者識別番号 | TPN2R805PL,L1Q |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
利用可能な数量 | 108080 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | TPN2R805PL,L1Q.pdf |
部品番号 | TPN2R805PL,L1Q |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 45V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 139A (Ta), 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 300µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
動作温度 | 175°C |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | TPN2R805PL,L1Q |
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