| Número de pieza del fabricante | 1N8026-GA |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Simple |
| Cantidad disponible | 88100 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | 1N8026-GA.pdf |
| Número de pieza | 1N8026-GA |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 2.5A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-257-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-257 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 250°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | 1N8026-GA |
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