| Numero di parte del produttore | 1N8026-GA |
|---|---|
| fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
| Quantità disponibile | 88100 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 1N8026-GA.pdf |
| Numero di parte | 1N8026-GA |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 2.5A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-257-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | 1N8026-GA |
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