| Référence fabricant | 1N8026-GA |
|---|---|
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
| quantité disponible | 88100 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | 1N8026-GA.pdf |
| Numéro d'article | 1N8026-GA |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 2.5A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-257-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-257 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 250°C |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | 1N8026-GA |
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