| Número da peça do fabricante | 1N8026-GA |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de Produto | Diodos - Rectificadores - Único |
| Quantidade disponível | 88100 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | 1N8026-GA.pdf |
| Número da peça | 1N8026-GA |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 8A (DC) |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.6V @ 2.5A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-257-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-257 |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 250°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | 1N8026-GA |
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