Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSO612CVGHUMA1
Número de pieza del fabricanteBSO612CVGHUMA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible181920 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSO612CVGHUMA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSO612CVGHUMA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor PG-DSO-8
Peso 0.001 KG
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