Numero di parte del produttore | BSO612CVGHUMA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 181920 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | BSO612CVGHUMA1.pdf |
Numero di parte | BSO612CVGHUMA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | BSO612CVGHUMA1 |
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