Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com BSO615CGHUMA1
Numero di parte del produttoreBSO615CGHUMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile199980 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BSO615CGHUMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BSO615CGHUMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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