Número de pieza del fabricante | BSO615CGHUMA1 |
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Fabricante | Infineon Technologies |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
Cantidad disponible | 199980 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | BSO615CGHUMA1.pdf |
Número de pieza | BSO615CGHUMA1 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Potencia - Max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-DSO-8 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | BSO615CGHUMA1 |
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