Toshiba Memory America, Inc. Distribuidor www.qycomp.com TC58NYG2S0HBAI6
Número de pieza del fabricanteTC58NYG2S0HBAI6
FabricanteToshiba Memory America, Inc.
categoria de productoMemoria
Cantidad disponible136080 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TC58NYG2S0HBAI6.pdf

Atributos del producto

Número de pieza TC58NYG2S0HBAI6
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto TC58NYG2S0HBAI6

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