| Numero di parte del produttore | TC58NYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 136080 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TC58NYG2S0HBAI6.pdf |
| Numero di parte | TC58NYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | 25ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.95 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 67-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | TC58NYG2S0HBAI6 |
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