Toshiba Memory America, Inc. Distributeur www.qycomp.com TC58NYG2S0HBAI6
Référence fabricantTC58NYG2S0HBAI6
FabricantToshiba Memory America, Inc.
catégorie de produitMémoire
quantité disponible136080 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article TC58NYG2S0HBAI6
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 67-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 67-VFBGA (6.5x8)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange TC58NYG2S0HBAI6

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