| Référence fabricant | TC58NYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Memory America, Inc. |
| catégorie de produit | Mémoire |
| quantité disponible | 136080 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TC58NYG2S0HBAI6.pdf |
| Numéro d'article | TC58NYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 25ns |
| Temps d'accès | 25ns |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 67-VFBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | TC58NYG2S0HBAI6 |
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