| Número de pieza del fabricante | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Cantidad disponible | 38960 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TPN1110ENH,L1Q.pdf |
| Número de pieza | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | TPN1110ENH,L1Q |
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