| Número da peça do fabricante | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 38960 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TPN1110ENH,L1Q.pdf |
| Número da peça | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacote / Caso | 8-PowerVDFN |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | TPN1110ENH,L1Q |
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