| Référence fabricant | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| quantité disponible | 38960 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPN1110ENH,L1Q.pdf |
| Numéro d'article | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | TPN1110ENH,L1Q |
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