Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com BSM100GB120DN2HOSA1
Référence fabricantBSM100GB120DN2HOSA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible147860 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 2 MED POWER 62MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BSM100GB120DN2HOSA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 2mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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