Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSM100GB120DN2HOSA1
Número da peça do fabricanteBSM100GB120DN2HOSA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Módulos
Quantidade disponível147860 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoIGBT 2 MED POWER 62MM-1
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados BSM100GB120DN2HOSA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça BSM100GB120DN2HOSA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configuração Half Bridge
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Power - Max 800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Module
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição BSM100GB120DN2HOSA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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