Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com BSM100GB120DN2HOSA1
製造業者識別番号BSM100GB120DN2HOSA1
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
利用可能な数量147860 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明IGBT 2 MED POWER 62MM-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSM100GB120DN2HOSA1.pdf

製品の属性

部品番号 BSM100GB120DN2HOSA1
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 150A
電力 - 最大 800W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大) 2mA
入力容量(Cies)@ Vce 6.5nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 BSM100GB120DN2HOSA1

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