Micron Technology Inc. Distributeur www.qycomp.com MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Référence fabricantMT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
FabricantMicron Technology Inc.
catégorie de produitMémoire
quantité disponible194940 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 3Tb (384G x 8)
Fréquence d'horloge 333MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.5 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

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Micron Technology Inc. Distributeur

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