| 製造業者識別番号 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
|---|---|
| メーカー | Micron Technology Inc. |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 利用可能な数量 | 194940 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR.pdf |
| 部品番号 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 3Tb (384G x 8) |
| クロック周波数 | 333MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.5 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
QY Componentsには、最高の価格があります。 MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Micron Technology Inc. 全シリーズ メモリ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Micron Technology Inc. そして メモリ 私たちから。 といった MT48H8M16LFB4-8 IT:J, N25Q256A13EF840F, N25Q128A11B1240F TR, N25Q128A11B1241F TR, N25Q128A11BSF40F TR, N25Q128A11BF840F TR, RC28F320J3F75A, MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR, MT29F16G08CBACAWP:C TR, MT29F1G08ABADAWP:D TR IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR, IS61NLF25636A-7.5B2I, IS61NLF25636A-7.5B2I-TR, IS61NLP102418-200B3LI, IS61NLP204818A-166TQLI, IS61NLP25636A-200B2I, IS61NLP25636A-200B2I-TR, IS61NLP25636A-200B2LI, IS61NVF51236-6.5TQL, IS61NVF51236-6.5TQL-TR.
購入 Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。