| 제조업체 부품 번호 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
|---|---|
| 제조사 | Micron Technology Inc. |
| 제품 카테고리 | 메모리 |
| 사용 가능한 수량 | 194940 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR.pdf |
| 부품 번호 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 형식 | FLASH |
| 과학 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 3Tb (384G x 8) |
| 클럭 주파수 | 333MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 2.5 V ~ 3.6 V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
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