NXP USA Inc. Distributeur www.qycomp.com PMWD19UN,518
Référence fabricantPMWD19UN,518
FabricantNXP USA Inc.
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible193580 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique PMWD19UN,518.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article PMWD19UN,518
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-TSSOP
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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