Numero di parte del produttore | PMWD19UN,518 |
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fabbricante | NXP USA Inc. |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 193580 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | PMWD19UN,518.pdf |
Numero di parte | PMWD19UN,518 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | PMWD19UN,518 |
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