製造業者識別番号 | PMWD19UN,518 |
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メーカー | NXP USA Inc. |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 193580 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | PMWD19UN,518.pdf |
部品番号 | PMWD19UN,518 |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.6A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 700mV @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 28nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1478pF @ 10V |
電力 - 最大 | 2.3W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | PMWD19UN,518 |
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