Numero di parte del produttore | EPC2016 |
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fabbricante | EPC |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 170220 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | EPC2016.pdf |
Numero di parte | EPC2016 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Pacchetto / caso | Die |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | EPC2016 |
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