| Hersteller-Teilenummer | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 164360 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SCT2H12NYTB.pdf |
| Artikelnummer | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 44W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | SCT2H12NYTB |
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