| Numero di parte del produttore | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| fabbricante | Rohm Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 164360 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SCT2H12NYTB.pdf |
| Numero di parte | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 44W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | SCT2H12NYTB |
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