| Número da peça do fabricante | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 164360 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SCT2H12NYTB.pdf |
| Número da peça | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 44W (Tc) |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-268 |
| Pacote / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | SCT2H12NYTB |
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