| Référence fabricant | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| quantité disponible | 164360 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SCT2H12NYTB.pdf |
| Numéro d'article | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 44W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-268 |
| Paquet / cas | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | SCT2H12NYTB |
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