| Número de pieza del fabricante | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
| Cantidad disponible | 95660 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | A2G35S200-01SR3.pdf |
| Número de pieza | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Ganancia | 16.1dB |
| Voltaje - Prueba | 48V |
| Valoración actual | - |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 291mA |
| Salida de potencia | 180W |
| Voltaje - Clasificación | 125V |
| Paquete / caja | NI-400S-2S |
| Paquete de dispositivo del proveedor | NI-400S-2S |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | A2G35S200-01SR3 |
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