| Numero di parte del produttore | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| fabbricante | NXP USA Inc. |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Quantità disponibile | 95660 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | A2G35S200-01SR3.pdf |
| Numero di parte | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Guadagno | 16.1dB |
| Voltaggio - Test | 48V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 291mA |
| Potenza - Uscita | 180W |
| Tensione - Rated | 125V |
| Pacchetto / caso | NI-400S-2S |
| Pacchetto dispositivo fornitore | NI-400S-2S |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | A2G35S200-01SR3 |
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