| Référence fabricant | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
| quantité disponible | 95660 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | A2G35S200-01SR3.pdf |
| Numéro d'article | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Gain | 16.1dB |
| Tension - Test | 48V |
| Note actuelle | - |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | 291mA |
| Puissance - Sortie | 180W |
| Tension - Rated | 125V |
| Paquet / cas | NI-400S-2S |
| Package de périphérique fournisseur | NI-400S-2S |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | A2G35S200-01SR3 |
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