| Número da peça do fabricante | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - RF |
| Quantidade disponível | 95660 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | A2G35S200-01SR3.pdf |
| Número da peça | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Freqüência | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Ganho | 16.1dB |
| Tensão - teste | 48V |
| Classificação atual | - |
| Figura de ruído | - |
| Teste atual | 291mA |
| Potência | 180W |
| Voltagem - Rated | 125V |
| Pacote / Caso | NI-400S-2S |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | NI-400S-2S |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | A2G35S200-01SR3 |
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