Número de pieza del fabricante | GT10J312(Q) |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
categoria de producto | Transistores - IGBT - Simple |
Cantidad disponible | 161030 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | GT10J312(Q).pdf |
Número de pieza | GT10J312(Q) |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de IGBT | - |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Corriente - colector pulsado (Icm) | 20A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potencia - Max | 60W |
Conmutación de energía | - |
Tipo de entrada | Standard |
Cargo de puerta | - |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 400ns/400ns |
Condición de prueba | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 200ns |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SM |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | GT10J312(Q) |
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