Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com GT10J312(Q)
Número de pieza del fabricanteGT10J312(Q)
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - IGBT - Simple
Cantidad disponible161030 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 600V 10A 60W TO220SM
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos GT10J312(Q).pdf

Atributos del producto

Número de pieza GT10J312(Q)
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT -
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Corriente - colector pulsado (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Potencia - Max 60W
Conmutación de energía -
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta -
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 400ns/400ns
Condición de prueba 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 200ns
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220SM
Peso 0.001 KG
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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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