Toshiba Semiconductor and Storage 살수 장치 www.qycomp.com GT10J312(Q)
제조업체 부품 번호GT10J312(Q)
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리트랜지스터 - IGBT - 단일
사용 가능한 수량161030 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술IGBT 600V 10A 60W TO220SM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 GT10J312(Q).pdf

제품 속성

부품 번호 GT10J312(Q)
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Obsolete
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 10A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 20A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 60W
스위칭 에너지 -
입력 유형 Standard
게이트 차지 -
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 400ns/400ns
시험 조건 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 200ns
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 TO-220SM
무게 0.001 KG
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