Numero di parte del produttore | GT10J312(Q) |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Quantità disponibile | 161030 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | GT10J312(Q).pdf |
Numero di parte | GT10J312(Q) |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 60W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 400ns/400ns |
Condizione di test | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SM |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | GT10J312(Q) |
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