| Hersteller-Teilenummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 184740 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
| Artikelnummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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