| 製造業者識別番号 | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| メーカー | Micron Technology Inc. |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 利用可能な数量 | 184740 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
| 部品番号 | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH, RAM |
| 技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| メモリー容量 | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| クロック周波数 | 533MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.8V |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
QY Componentsには、最高の価格があります。 MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Micron Technology Inc. 全シリーズ メモリ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Micron Technology Inc. そして メモリ 私たちから。 といった N25Q032A13EF640F TR, N25Q032A13ESC40G, N25Q032A13ESE40G, N25Q032A13ESF40F TR, N25Q032A13ESF40G, N25Q064A11ESE40G, N25Q064A13E1240E, N25Q064A13E1241E, N25Q064A13E1241F TR, N25Q064A13EF640E MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR, MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR, MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR, MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR, MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR, MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR, MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR, MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR, MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR, MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR.
購入 Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。