Número da peça do fabricante | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de Produto | Memória |
Quantidade disponível | 184740 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
Número da peça | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de Memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de Memória | Parallel |
Tensão - Fornecimento | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / Caso | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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