| Número de pieza del fabricante | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 184740 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
| Número de pieza | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH, RAM |
| Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.8V |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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