| Référence fabricant | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| catégorie de produit | Mémoire |
| quantité disponible | 184740 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
| Numéro d'article | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH, RAM |
| La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Fréquence d'horloge | 533MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.8V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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