| Numero di parte del produttore | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 184740 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf |
| Numero di parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.8V |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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